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硅片回收之半硅片的化學(xué)清洗工藝原理
    硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后，其表面己受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：
    A．有機(jī)雜質(zhì)沾污：可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除。
    B．顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑≥0.4 IJm顆粒，利用兆聲波可去除≥0.2 pm顆粒。
    C．金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類：
    a．一類是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。
    b．另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。
    硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污。
    a．使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
    b．用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子（如H+）來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。
    c．用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。
  
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